Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA16N60P3, 600В, 16А, TO263 (набір 10 шт.)
2 020 ₴
- В наявності
- Код: TM112718
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA16N60P3, 600В, 16А, TO263 (набір 10 шт.)В наявності
2 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IXYS IXFA16N60P3 — це уніполярний N-MOSFET транзистор у корпусі TO263 для монтажу на поверхню (SMD). Пристрій розрахований на напругу 600 В та струм 16 А. У комплекті постачається 10 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 16 А
- Потужність розсіювання: 347 Вт
- Корпус: TO263, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу дрена-джерела 600 В та номінальний струм дрена 16 А. Опір у стані провідності становить 470 мОм, що визначає теплові втрати при роботі. Потужність розсіювання дорівнює 347 Вт, а заряд затвора — 36 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у стандартному корпусі TO263. Тип монтажу — SMD (поверхневий).
Комплектація
Упаковка містить набір із 10 транзисторів IXFA16N60P3. Канал транзистора — збагачуваний (wzbogacany), що визначає тип керування затвором. Символ виробника IXFA16N60P3 відповідає моделі IXYS.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 347 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 16 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 470 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO263 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 020 ₴