Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA12N50P, 500В, 12А, TO263, набір 10 шт.
2 320 ₴
- В наявності
- Код: TM112717
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA12N50P, 500В, 12А, TO263, набір 10 шт.В наявності
2 320 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET IXYS IXFA12N50P — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 500 В та струм 12 А. Товар постачається набором із 10 штук у корпусі TO263 для поверхневого монтажу (SMD).
- Набір із 10 транзисторів IXYS IXFA12N50P
- Максимальна напруга дрена-джерела 500 В
- Струм дрена 12 А та потужність 200 Вт
- Корпус TO263 для монтажу SMD
- Опір у стані провідності 0,5 Ом
- Технології HiPerFET™ та Polar™
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 500 В та витримує постійний струм дрена 12 А. Максимальна розсіювана потужність становить 200 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 0,5 Ом, а заряд затвора — 29 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO263 для поверхневого монтажу (SMD). Час готовності (готовності до роботи) становить 300 нс.
Комплектація
Товар постачається набором із 10 транзисторів IXYS IXFA12N50P.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Максимальна потужність розсіювання | 200 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 500 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 300 нс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO263 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 320 ₴