Транзистор IGBT IXYS IXBT2N250, 2,5 кВ, 2 А, TO268 — набір 2 шт.

IGBT-транзистор IXYS IXBT2N250 — це напівпровідниковий прилад технології BiMOSFET™ у корпусі TO268 для монтажу SMD. Призначений для високовольтних схем, де важливі надійність та компактність.

• Напруга колектор-емітер 2,5 кВ для високовольтних застосувань
• Струм колектора 2 А (постійний) та 13 А (імпульсний)
• Технологія BiMOSFET™ та корпус TO268 для SMD монтажу
• Швидка комутація: час замикання 310 нс, розмикання 252 нс
• Потужність розсіювання 32 Вт
• Набір із 2 транзисторів у комплекті

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 2,5 кВ та постійний струм колектора 2 А. Це дозволяє використовувати його в силових модулях та інверторах, що працюють з мережею високої напруги. Імпульсний струм може сягати 13 А, що забезпечує запас міцності при різких навантаженнях.

Швидка комутація

Час замикання становить 310 нс, а час розмикання — 252 нс. Такі показники мінімізують втрати енергії при перемиканні, що критично для високочастотних перетворювачів. Заряд затвора 10,6 нС спрощує керування драйвером.

Компактний монтаж

Корпус TO268 та технологія монтажу SMD дозволяють розміщувати компонент на друкованих платах із високою щільністю. Потужність розсіювання 32 Вт вимагає ефективного відведення тепла, але зберігає габарити пристрою мінімальними.

Керування та надійність затвора

Допустима напруга затвор-емітер становить ±20 В, що визначає вимоги до драйвера керування. Високовольтні властивості напівпровідника забезпечують стабільну роботу в складних умовах. Товар поставляється як набір із 2 штук, що зручно для серійного виробництва або заміни пари компонентів у симетричних схемах.