Транзистор IGBT IXYS IXBT10N170, 1,7 кВ, 10 А, TO268 — набір 3 шт.

Транзистор IGBT IXBT10N170 від виробника IXYS — це напівпровідниковий прилад технології BiMOSFET™ у корпусі TO268. Товар постачається комплектом із 3 штук. Ключові параметри: напруга колектор-емітер 1,7 кВ та постійний струм колектора 10 А.

• Напруга колектор-емітер: 1,7 кВ
• Постійний струм колектора: 10 А
• Імпульсний струм колектора: 40 А
• Розсіювана потужність: 140 Вт
• Корпус: TO268, монтаж SMD
• Комплектація: 3 шт.

Електричні характеристики

Прилад має високовольтну характеристику та напругу колектор-емітер 1,7 кВ. Постійний струм колектора становить 10 А, а імпульсний струм може досягати 40 А. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 140 Вт.

Швидкодія та керування

Час ввімкнення транзистора становить 63 нс, а час вимкнення — 1,8 мкс. Для керування затвором використовується напруга ±20 В. Загальний заряд затвора дорівнює 30 нКл.

Монтаж та комплектація

Транзистор призначений для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі TO268. У комплекті поставки знаходиться 3 штуки приладів. Транзистор виготовлений за технологією BiMOSFET™. Прилад має імпульсний струм колектора до 40 А. Максимальна розсіювана потужність становить 140 Вт.