Модуль IGBT IXYS IXBN42N170A, 1700 В, 21 А, SOT227B

Модуль IGBT IXBN42N170A від виробника IXYS — це силовий напівпровідниковий компонент у корпусі SOT227B. Пристрій призначений для роботи у високовольтних електричних схемах, де необхідна надійна комутація струму до 21 А при напрузі до 1700 В.

• Максимальна зворотна напруга 1,7 кВ для високовольтних застосувань
• Номінальний струм колектора 21 А
• Імпульсний струм до 265 А
• Розсіювана потужність 313 Вт
• Надійний корпус SOT227B з прикручуваним монтажем
• Технологія BiMOSFET™

Високовольтна комутація

Модуль розрахований на максимальну зворотну напругу 1,7 кВ.

Потужність та струм

Номінальний струм колектора становить 21 А, а імпульсний струм може досягати 265 А. Це дає змогу модулю витримувати короткочасні пікові навантаження без пошкодження структури напівпровідника.

Тепловий режим

Максимальна розсіювана потужність модуля — 313 Вт.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у вигляді одиночного транзистора (single transistor) у стандартному корпусі SOT227B. Механічний та електричний монтаж здійснюється за допомогою прикручування.

Технологія BiMOSFET

У модулі застосована технологія BiMOSFET™.