Транзистор P-MOSFET Infineon IRLTS2242TRPBF, -20В, -6,9А, TSOP6 (комплект 40 шт.)

Транзистор Infineon IRLTS2242TRPBF — це уніполярний P-MOSFET з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель розрахована на напругу дрен-джерело до -20 В та струм дрену до -6,9 А, що робить її придатною для комутаційних задач із середніми навантаженнями.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Максимальна напруга дрен-джерело: -20 В
• Максимальний струм дрену: -6,9 А
• Розсіювана потужність: 2 Вт
• Корпус: TSOP6, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 40 шт.

Технічні параметри та корпус

Компонент виконаний у корпусі TSOP6 із технологією монтажу SMD, що забезпечує компактність та зручність автоматизованого встановлення на друковані плати. Максимальна розсіювана потужність становить 2 Вт, що визначає тепловий режим роботи пристрою. Транзистор виготовлений за технологією HEXFET®, яка є фірмовою розробкою виробника.

Особливості керування

Пристрій має властивість "logic level", що означає можливість керування безпосередньо від логічних рівнів мікроконтролерів або цифрових схем без додаткових драйверів. Це спрощує побудову схем керування навантаженням у цифрових пристроях.

Технологія HEXFET® та монтаж SMD

Компонент виготовлений за фірмовою технологією HEXFET®, що впливає на його електричні характеристики. Виконання у корпусі TSOP6 з монтажем SMD дозволяє розміщувати транзистор на друкованій платі без виведення ніг, що економить місце та спрощує автоматизований монтаж.