Транзистор P-MOSFET Infineon IRLHS2242TRPBF, PQFN3.3x3.3, 2.1 Вт (набір 60 шт.)
2 100 ₴
- В наявності
- Код: TM112636
Транзистор P-MOSFET Infineon IRLHS2242TRPBF, PQFN3.3x3.3, 2.1 Вт (набір 60 шт.)В наявності
2 100 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Infineon IRLHS2242TRPBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Товар постачається набором із 60 одиниць у корпусі PQFN3.3x3.3.
- Тип транзистора: P-MOSFET
- Корпус: PQFN3.3x3.3
- Максимальна потужність розсіювання: 2.1 Вт
- Технологія: HEXFET®
- Тип монтажу: SMD
- Кількість у комплекті: 60 шт.
Технічні характеристики
Пристрій має максимальну потужність розсіювання 2.1 Вт. Транзистор виготовлений за технологією HEXFET®, що є фірмовим рішенням виробника. Корпус PQFN3.3x3.3.
Комплектація
У комплекті постачається 60 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.1 Вт |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | PQFN3.3X3.3 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 100 ₴