Транзистор N-MOSFET Infineon IRFSL4010PBF, 100В, 180А, TO262, комплект 5 шт.
1 960 ₴
- В наявності
- Код: TM112634
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFSL4010PBF, 100В, 180А, TO262, комплект 5 шт.В наявності
1 960 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFSL4010PBF — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO262 для монтажу на плату. Комплект складається з 5 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Струм стоку: 180 А
- Потужність розсіювання: 375 Вт
- Корпус: TO262 (вивідний монтаж THT)
- Комплектація: 5 шт.
Технічні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 100 В та струм стоку 180 А. Потужність розсіювання становить 375 Вт. Канал збагачуваний.
Корпус та монтаж
Прилад виконаний у корпусі TO262, який призначений для вивідного монтажу (THT). Технологія HEXFET®.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 375 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 180 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO262 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 960 ₴