
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR4620TRLPBF, 200V, 24A, DPAK (набір 10 шт.)
2 200 ₴
- В наявності
- Код: TM112632
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR4620TRLPBF — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 200 В та струм 24 А. Товар постачається набором із 10 штук у корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Напруга стік-витік: 200 В
- Струм стіка: 24 А
- Потужність розсіювання: 144 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Технологія: HEXFET®
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до 200 В та витримує струм стіка 24 А. Потужність розсіювання становить 144 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Це уніполярний прилад типу N-MOSFET із збагачуваним каналом.
Корпус та технологія
Компонент виготовлений у корпусі DPAK, призначений для поверхневого монтажу (SMD). У виробництві застосована технологія HEXFET®.
Комплектація
У пакеті поставки міститься 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 144 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 24 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 200 ₴
