Транзистор N-MOSFET Infineon IRFL4105TRPBF, 55В, 3,7А, SOT223, комплект 30 шт.
2 510 ₴
- В наявності
- Код: TM112625
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFL4105TRPBF, 55В, 3,7А, SOT223, комплект 30 шт.В наявності
2 510 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFL4105TRPBF — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі SOT223 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 30 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 55 В
- Струм дрена: 3,7 А
- Потужність розсіювання: 2,1 Вт
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Технологія: HEXFET®
- Комплектація: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу дрена-джерела 55 В та струм дрена 3,7 А. Потужність розсіювання становить 2,1 Вт. Канал збагачуваний.
Технологія та монтаж
Прилад виготовлений за технологією HEXFET®. Корпус SOT223 призначений для поверхневого монтажу (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.1 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 55 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.7 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 510 ₴