Транзистор N-MOSFET Vishay IRFL110TRPBF, SOT223, 100В, 0,96А (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay IRFL110TRPBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SOT223. Комплект складається з 20 одиниць, що забезпечує запас компонентів для серійного виробництва або ремонту електронних пристроїв.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга дрена-джерела: 100 В
• Струм дрена: 0,96 А (постійний), 12 А (імпульсний)
• Потужність розсіювання: 3,1 Вт
• Корпус: SOT223, монтаж SMD
• Комплектація: 20 шт.

Напруга та струм

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 100 В та постійним струмом дрена 0,96 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 12 А, що дозволяє використовувати компонент у схемах з короткочасними піковими навантаженнями.

Потужність та опір

Максимальна розсіювана потужність становить 3,1 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Опір у стані провідності дорівнює 0,54 Ом, що впливає на втрати енергії при відкритому каналі.