Транзистор N-MOSFET Vishay IRFB11N50APBF, 500В, 7А, TO220AB (набір 10 шт.)
2 650 ₴
- В наявності
- Код: TM112622
Транзистор N-MOSFET Vishay IRFB11N50APBF, 500В, 7А, TO220AB (набір 10 шт.)В наявності
2 650 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET Vishay IRFB11N50APBF у корпусі TO220AB. Транзистор N-MOSFET з уніполярним каналом збагачення. Параметри: напруга 500 В, струм 7 А.
- Набір із 10 транзисторів N-MOSFET
- Максимальна напруга дрена-джерела 500 В
- Струм дрена 7 А
- Розсіювана потужність 170 Вт
- Корпус TO220AB для монтажу THT
- Опір у відкритому стані 0,52 Ом
Електричні параметри
Напруга дрена-джерела: 500 В. Струм дрена: 7 А.
Потужність розсіювання
Максимальна розсіювана потужність: 170 Вт. Корпус: TO220AB.
Монтаж
Тип монтажу: THT (скрізь отвори). Корпус: TO220AB.
Параметри керування
Напруга затвор-джерело: ±30 В. Опір у відкритому стані: 0,52 Ом. Заряд затвора: 52 нКл.
Комплектність
У наборі 10 транзисторів моделі IRFB11N50APBF.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 170 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 520 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 650 ₴