Транзистор P-MOSFET Infineon IRF9530NSTRLPBF, D2PAK, -100V, -14A, 3,8W (набір 20 шт.)

Транзистор P-MOSFET Infineon IRF9530NSTRLPBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Модель виконана у корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD) та постачається набором із 20 одиниць.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Максимальна напруга дрена-джерела: -100 В
• Максимальний струм дрена: -14 А
• Потужність розсіювання: 3,8 Вт
• Корпус: D2PAK, монтаж SMD
• Технологія виготовлення: HEXFET®
• Кількість у наборі: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до -100 В та витримує струм дрена до -14 А. Потужність розсіювання становить 3,8 Вт, що дозволяє використовувати компонент у пристроях із середнім рівнем навантаження. Тип каналу — збагачуваний, що забезпечує стабільну роботу в ключових режимах.

Технологія та монтаж

Компонент виготовлений за технологією HEXFET®. Корпус D2PAK, монтаж SMD.

Комплектація

Товар постачається у вигляді набору, що містить 20 транзисторів.

Транзистор Infineon IRF9530NSTRLPBF з напругою до -100 В.