Транзистор P-MOSFET Infineon IRF9530NPBF, -100В, -14А, TO220AB, комплект 20 шт.

Транзистор P-MOSFET Infineon IRF9530NPBF — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. У комплекті постачається 20 одиниць у корпусі TO220AB для монтажу на плату (THT).

• Тип: P-MOSFET, уніполярний
• Напруга дрена-джерела: -100 В
• Струм дрена: -14 А
• Потужність розсіювання: 79 Вт
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Комплектація: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела -100 В та струм дрена -14 А. Потужність розсіювання становить 79 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Напруга затвор-джерело допускає значення ±20 В.

Технічні характеристики

Компонент виготовлений за технологією HEXFET®, що впливає на його внутрішню структуру. Опір у стані провідності дорівнює 0,2 Ом, а заряд затвора — 38,7 нКл. Ці параметри описують електричні властивості транзистора в робочих режимах.## Монтаж на платуКомпонент виконаний у корпусі TO220AB. Тип монтажу THT (through-hole technology) дозволяє встановлювати транзистор у отвори друкованої плати та фіксувати паянням.## КомплектаціяУпаковка містить 20 транзисторів IRF9530NPBF. Усі одиниці мають однакові параметри та маркування виробника Infineon Technologies.