Транзистор N-MOSFET Vishay IRF840SPBF, 500В, 5,1А, D2PAK (набір 10 шт.)
2 170 ₴
- В наявності
- Код: TM112619
Транзистор N-MOSFET Vishay IRF840SPBF, 500В, 5,1А, D2PAK (набір 10 шт.)В наявності
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Vishay IRF840SPBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Модель має максимальну напругу «дрен-джерело» 500 В та постійний струм дрену 5,1 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга «дрен-джерело»: 500 В
- Постійний струм дрену: 5,1 А (імпульсний до 32 А)
- Потужність розсіювання: 125 Вт
- Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
- Набір: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу «дрен-джерело» 500 В та постійний струм дрену 5,1 А. Імпульсний струм може досягати 32 А, що дозволяє витримувати короткочасні пікові навантаження. Потужність розсіювання становить 125 Вт, а опір у стані провідності — 0,85 Ом.
Напруга затвору та заряд
Максимальна напруга «затвор-джерело» становить ±20 В. Заряд затвору дорівнює 63 нКл, що характеризує вхідну ємність компонента.
Комплектація
Товар постачається набором із 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5.1 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 850 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK, TO263 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 170 ₴