Транзистор N-MOSFET Vishay IRF640SPBF, 200 В, 11 А, D2PAK (набір 10 шт.)
2 440 ₴
- В наявності
- Код: TM112616
Транзистор N-MOSFET Vishay IRF640SPBF, 200 В, 11 А, D2PAK (набір 10 шт.)В наявності
2 440 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Vishay IRF640SPBF — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель розрахована на напругу дрен-джерело до 200 В та постійний струм дрену 11 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрен-джерело: 200 В
- Струм дрену: 11 А (постійний), 72 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 130 Вт
- Корпус: D2PAK (TO263), монтаж SMD
- Набір: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу дрен-джерело 200 В та постійний струм дрену 11 А. У імпульсному режимі струм дрену може досягати 72 А, а максимальна розсіювана потужність становить 130 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 0,18 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі D2PAK (TO263) для поверхневого монтажу (SMD).
Напруга затвору та заряд затвору
Максимальна напруга затвор-джерело становить ±20 В. Заряд затвору дорівнює 70 нКл, що характеризує параметри керування транзистором.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 130 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 11 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 180 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK, TO263 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 440 ₴