Транзистор N-MOSFET Infineon IRF530NSTRLPBF, 100V, 17A, D2PAK (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IRF530NSTRLPBF — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель розрахована на напругу 100 В та струм 17 А.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 100 В
• Максимальний струм стіка: 17 А
• Розсіювана потужність: 3,8 Вт
• Корпус: D2PAK, монтаж SMD
• Комплектація: набір із 10 штук

Технічні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 100 В та постійний струм стіка 17 А. Максимальна розсіювана потужність становить 3,8 Вт, а допустима напруга затвор-витік — ±20 В. Ці характеристики визначають межі безпечної експлуатації компонента в електричних колах.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD).

Технологія HEXFET®

Транзистор виготовлений за технологією HEXFET®. Виробником компонента є компанія INFINEON TECHNOLOGIES. Символ виробника — IRF530NSTRLPBF. Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В. Розсіювана потужність дорівнює 3,8 Вт.