Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3205STRLPBF, 55В, 110А, D2PAK, комплект 20 шт.
3 530 ₴
- В наявності
- Код: TM112614
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3205STRLPBF, 55В, 110А, D2PAK, комплект 20 шт.В наявності
3 530 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF3205STRLPBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутації в електронних схемах. Модель виконана в корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD) і постачається комплектом із 20 штук,.
- Струм стоку до 110 А
- Розсіювана потужність 200 Вт
- Напруга стік-витік 55 В
- Технологія HEXFET®
- Комплект із 20 штук
- Поверхневий монтаж (SMD)
Висока струмова навантаженість
Транзистор розрахований на постійний струм стоку до 110 А, що дозволяє використовувати його в силових ланцюгах із високим споживанням енергії. Така характеристика робить компонент придатним для керування потужними навантаженнями,.
Ефективне розсіювання тепла
Максимальна розсіювана потужність становить 200 Вт,. Корпус D2PAK забезпечує ефективне відведення тепла.
Зручний монтаж та комплектація
Компонент виготовлений за технологією HEXFET®. Монтаж виконується методом SMD,. Комплект із 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 200 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 55 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 110 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 530 ₴