Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1404PBF, 40В, 162А, TO220AB, набір 10 шт.

1 990 ₴

  • В наявності
  • Код: TM112613
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1404PBF, 40В, 162А, TO220AB, набір 10 шт.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1404PBF, 40В, 162А, TO220AB, набір 10 шт.В наявності
1 990 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1404PBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель виконана в корпусі TO220AB для монтажу на плату (THT) та постачається набором із 10 штук.

  • Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
  • Напруга стік-витік: 40 В
  • Струм стіка: 162 А
  • Потужність розсіювання: 200 Вт
  • Корпус: TO220AB, монтаж THT
  • Опір у відкритому стані: 4 мОм
  • Заряд затвора: 160 нКл
  • Набір: 10 штук

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 40 В та струм стіка 162 А. Потужність розсіювання становить 200 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 4 мОм, а заряд затвора — 160 нКл.

Технологія та монтаж

Пристрій виготовлено за технологією HEXFET®, що забезпечує стабільні характеристики. Корпус TO220AB та тип монтажу THT (скрізний монтаж). Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В.

Характеристики
Основні
ВиробникInfineon Technologies
Максимальна потужність розсіювання200 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік40 В
Максимально допустимий струм стоку162 А
Опір у відкритому стані (Rds)4 mOm
Тип монтажуВставний
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті10 шт.
КорпусTO220AB
ТехнологіяHEXFET®
Інформація для замовлення
  • Ціна: 1 990 ₴