
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1404PBF, 40В, 162А, TO220AB, набір 10 шт.
1 990 ₴
- В наявності
- Код: TM112613
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1404PBF — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель виконана в корпусі TO220AB для монтажу на плату (THT) та постачається набором із 10 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 40 В
- Струм стіка: 162 А
- Потужність розсіювання: 200 Вт
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Опір у відкритому стані: 4 мОм
- Заряд затвора: 160 нКл
- Набір: 10 штук
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 40 В та струм стіка 162 А. Потужність розсіювання становить 200 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 4 мОм, а заряд затвора — 160 нКл.
Технологія та монтаж
Пристрій виготовлено за технологією HEXFET®, що забезпечує стабільні характеристики. Корпус TO220AB та тип монтажу THT (скрізний монтаж). Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 200 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 162 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 990 ₴
