Транзистор N-MOSFET Infineon IPS70R1K4P7SAKMA1, 700V, 2.5A, IPAK SL (набір 50 шт.)
2 070 ₴
- В наявності
- Код: TM112609
Транзистор N-MOSFET Infineon IPS70R1K4P7SAKMA1, 700V, 2.5A, IPAK SL (набір 50 шт.)В наявності
2 070 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 50 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IPS70R1K4P7SAKMA1. Компоненти виконані у корпусі IPAK SL із технологією CoolMOS™ P7 та призначені для монтажу на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-виток: 700 В
- Струм стоку: 2,5 А
- Розсіювана потужність: 22,7 Вт
- Корпус: IPAK SL, монтаж THT
- Технологія: CoolMOS™ P7
- Кількість у наборі: 50 шт.
Електричні параметри
Транзистор є уніполярним N-MOSFET із каналом збагачення. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 700 В, а постійний струм стоку — 2,5 А. Опір у відкритому стані дорівнює 1,4 Ом. Напруга затвор-виток обмежена ±16 В, а заряд затвора — 4,7 нКл.
Теплові характеристики та монтаж
Максимальна розсіювана потужність компонента — 22,7 Вт. Транзистори мають виводи для встановлення на друковану плату (THT). Корпус IPAK SL. Версія ESD.
Комплектація
У пакеті постачається 50 одиниць транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 22.7 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 16 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 700 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1400 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | IPAK SL |
| Технологія | CoolMOS™ P7 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 070 ₴