Транзистор N-MOSFET Infineon IPS65R1K5CEAKMA1, 650В, 3,1А, IPAK SL (70 шт.)
2 090 ₴
- В наявності
- Код: TM112608
Транзистор N-MOSFET Infineon IPS65R1K5CEAKMA1, 650В, 3,1А, IPAK SL (70 шт.)В наявності
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPS65R1K5CEAKMA1 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Комплект складається з 70 одиниць у корпусі IPAK SL з технологією CoolMOS™.
- Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 650 В
- Струм стіка: 3,1 А
- Розсіювана потужність: 28 Вт
- Опір у відкритому стані: 1,5 Ом
- Корпус: IPAK SL, монтаж THT
- Технологія: CoolMOS™
- Кількість у комплекті: 70 шт.
Технічні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 650 В та постійний струм стіка 3,1 А. Опір у відкритому стані становить 1,5 Ом. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 28 Вт. Напруга затвор-витік обмежена значенням ±20 В.
Корпус та монтаж
Прилад виконаний у корпусі IPAK SL. Тип монтажу: THT.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 28 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.1 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1500 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 70 шт. |
| Корпус | IPAK SL |
| Технологія | CoolMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 090 ₴