Транзистор N-MOSFET Infineon IPP80R1K2P7, 800В, 3,1А, PG-TO220-3, набір 20 шт. (IPP80R1K2P7XKSA1)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPP80R1K2P7 — це уніполярний напівпровідниковий прилад із технологією CoolMOS™ P7. Компонент забезпечує напругу стік-джерело 800 В та струм стоку 3,1 А, пропонуючи надійне рішення для високовольтних застосувань.

• Напруга стік-джерело 800 В для високовольтних застосувань
• Струм стоку 3,1 А та потужність розсіювання 37 Вт
• Технологія CoolMOS™ P7 для ефективної комутації
• Корпус PG-TO220-3 з монтажем THT
• Захист від електростатичного розряду (ESD)
• Набір із 20 транзисторів у комплекті

Високовольтна стійкість

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-джерело 800 В, що підходить для високовольтних застосувань. Напруга затвор-джерело становить ±20 В, що визначає вимоги до схеми керування. Такий параметр важливий для стабільної роботи в умовах високих навантажень.

Ефективність та тепловіддача

Потужність розсіювання становить 37 Вт, що вимагає належного теплового відведення при монтажі. Опір у відкритому стані дорівнює 1,2 Ом, що впливає на втрати потужності під час комутації. Заряд затвора становить 11 нКл.

Зручність монтажу та захист

Компонент виконаний у корпусі PG-TO220-3 з виведеннями для встановлення на плату (THT), що полегшує пайку та заміну. Версія ESD забезпечує додатковий захист від електростатичного розряду під час обробки та монтажу. Використовується технологія CoolMOS™ P7.

Тип каналу та поляризація

Транзистор має збагачуваний канал (wzbogacany) та є уніполярним (unipolarny). Ці характеристики визначають принцип роботи пристрою та його поведінку в електричних колах. Уніполярність означає, що струм тече лише в одному напрямку, що є стандартною властивістю для MOSFET-транзисторів цього типу. Товар постачається набором із 20 транзисторів, що забезпечує запас компонентів для монтажу.