Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R180C7XKSA1, 600В, 13А, CoolMOS C7 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R180C7XKSA1 — це напівпровідниковий прилад із каналом збагачення, розроблений для ефективної комутації в силових електронних схемах. Модель належить до технології CoolMOS™ C7, що забезпечує низькі втрати потужності та високу надійність роботи. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі PG-TO220-3, що зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
• Струм дрена: 13 А
• Розсіювана потужність: 68 Вт
• Корпус: PG-TO220-3 для вивідного монтажу (THT)
• Технологія: CoolMOS™ C7
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на робочу напругу дрена-джерела 600 В та максимальний струм дрена 13 А. Такі параметри дозволяють використовувати компонент у високовольтних імпульсних джерелах живлення та інверторах. Висока напруга пробиття забезпечує запас міцності при роботі з мережевим живленням.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 68 Вт, що вимагає належного теплового відведення. Корпус PG-TO220-3 спрощує монтаж на радіатори для стабільної роботи під навантаженням. Це важливо для пристроїв, де транзистор працює у режимі постійного комутування.

Зручний монтаж та комплектація

Компонент призначений для вивідного монтажу (THT), що полегшує пайку та заміну в готових платах. У комплекті постачається 10 транзисторів, що оптимізує закупівлю для невеликих серій. Технологія CoolMOS™ C7 гарантує передбачувані характеристики та сумісність із сучасними драйверами затвора. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±20 В, що визначає безпечні межі керування приладом. Опір у стані провідності дорівнює 0,18 Ом, що впливає на теплові втрати при комутації. Транзистор є уніполярним, що спрощує схемотехніку силових ключів.