Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R160P6XKSA1, 600В, 23,8А, 176Вт, PG-TO220-3 (набір 10 шт.)
2 310 ₴
- В наявності
- Код: TM112603
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R160P6XKSA1, 600В, 23,8А, 176Вт, PG-TO220-3 (набір 10 шт.)В наявності
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R160P6XKSA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розроблений для роботи під напругою до 600 В.## Технологія та тип
- Струм стоку 23,8 А
- Напруга стік-витік 600 В
- Потужність розсіювання 176 Вт
- Опір у відкритому стані 0,16 Ом
- Технологія CoolMOS™ P6
- Корпус PG-TO220-3 (THT)
- Комплект: 10 шт.
Потужність та струм
Транзистор має номінальний струм стоку 23,8 А та максимальну потужність розсіювання 176 Вт. Ці параметри визначають робочий діапазон приладу.
Електричні характеристики
Максимальна напруга стік-витік становить 600 В, а напруга затвор-витік — ±20 В. Опір у відкритому стані дорівнює 0,16 Ом.
Монтаж та корпус
Компонент призначений для вивідного монтажу (THT) у корпусі PG-TO220-3.Монтаж здійснюється в отвори друкованої плати.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 176 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 23.8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 160 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технологія | CoolMOS™ P6 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 310 ₴