Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R125CPXKSA1, 600В, 25А, 5 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R125CPXKSA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад із каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі PG-TO220-3 з технологією CoolMOS™ CP.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
• Напруга стік-витік: 600 В
• Струм стіка: 25 А
• Розсіювана потужність: 208 Вт
• Опір у відкритому стані: 0,125 Ом
• Корпус: PG-TO220-3, монтаж THT
• Технологія: CoolMOS™ CP
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 600 В та постійний струм стіка 25 А. Опір у відкритому стані становить 0,125 Ом. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 208 Вт, а допустима напруга затвор-витік — ±20 В.

Монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі PG-TO220-3, що передбачає монтаж у отвори (THT). Транзистор виготовлений за технологією CoolMOS™ CP. Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В. Канал транзистора є збагачуваним.