Транзистор N-MOSFET Infineon IPN80R1K4P7, 800В, 2,7А, SOT223 (IPN80R1K4P7ATMA1) — набір 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IPN80R1K4P7 — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 800 В та струм 2,7 А. Компонент виготовлений у корпусі PG-SOT223 для поверхневого монтажу (SMD) та поставляється комплектом із 20 штук.

• Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
• Напруга стік-виток: 800 В
• Струм стоку: 2,7 А
• Корпус: PG-SOT223 (SMD)
• Технологія: CoolMOS™ P7
• Комплектація: 20 шт.

Технологія та захист ESD

Прилад виготовлений за технологією CoolMOS™ P7. Компонент має версію ESD.

Електричні параметри

Максимальна напруга між витоком та стоком становить 800 В, а постійний струм стоку — 2,7 А. Опір у відкритому стані дорівнює 1,4 Ом, що визначає теплові втрати при роботі. Потужність розсіювання обмежена 7 Вт, а заряд затвора — 10 нКл.

Монтаж та корпус

Компонент призначений для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі PG-SOT223. Полярність транзистора — уніполярна, тип каналу — збагачуваний. Напруга між затвором та витоком становить ±20 В.