Транзистор N-MOSFET Infineon IPD135N03LGATMA1, 30В, 21А, 31Вт, PG-TO252-3 (20 шт.)
1 870 ₴
- В наявності
- Код: TM112600
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD135N03LGATMA1, 30В, 21А, 31Вт, PG-TO252-3 (20 шт.)В наявності
1 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD135N03LGATMA1. Комплект складається з 20 штук.
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Максимальний струм стоку: 21 А
- Потужність розсіювання: 31 Вт
- Корпус: PG-TO252-3, монтаж SMD
- Технологія: OptiMOS™ 3
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 30 В, а максимально допустимий струм стоку — 21 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 31 Вт. Ці характеристики визначають робочий діапазон транзистора в електричних схемах.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі PG-TO252-3 із технологією OptiMOS™ 3. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).
Комплектація
У наборі постачається 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 31 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 21 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 13.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 870 ₴