Транзистор N-MOSFET Infineon IPB60R360P7ATMA1, 600В, 6А, D2PAK (набір 10 шт.)
1 940 ₴
- В наявності
- Код: TM112599
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB60R360P7ATMA1, 600В, 6А, D2PAK (набір 10 шт.)В наявності
1 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB60R360P7ATMA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 600 В та струм 6 А. Товар постачається набором із 10 штук у корпусі D2PAK для монтажу SMD.
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 6 А
- Потужність розсіювання: 41 Вт
- Опір у стані провідності: 0,36 Ом
- Корпус: D2PAK (монтаж SMD)
- Технологія: CoolMOS™ P7
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні характеристики
Транзистор працює з напругою дрена-джерела 600 В та витримує струм дрена 6 А. Опір у стані провідності становить 0,36 Ом, а потужність розсіювання — 41 Вт. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В, а заряд затвора дорівнює 13 нКл.
Технологія та корпус
Прилад виготовлений за технологією CoolMOS™ P7. Корпус D2PAK призначений для поверхневого монтажу (SMD).
Комплект поставки
У комплекті постачається 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 41 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 360 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | CoolMOS™ P7 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 940 ₴