Транзистор N-MOSFET Infineon IPA95R1K2P7, 950 В, 3,7 А, TO220FP, набір 10 шт (IPA95R1K2P7XKSA1)
1 990 ₴
- В наявності
- Код: TM112598
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA95R1K2P7, 950 В, 3,7 А, TO220FP, набір 10 шт (IPA95R1K2P7XKSA1)В наявності
1 990 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET Infineon IPA95R1K2P7XKSA1 із технологією CoolMOS™ P7. Компоненти призначені для роботи з напругою до 950 В та струмом 3,7 А у корпусі TO220FP.
- Напруга дрена-джерела: 950 В
- Струм дрена: 3,7 А
- Технологія: CoolMOS™ P7
- Корпус: TO220FP (THT монтаж)
- Набір: 10 транзисторів
- Захист ESD
Електричні параметри
Транзистори витримують напругу дрена-джерела 950 В та струм дрена 3,7 А. Розраховані на високу напругу. Опір у стані провідності становить 1,2 Ом.
Технологія та захист
Компоненти виготовлені за технологією CoolMOS™ P7 від Infineon. Версія ESD забезпечує захист від електростатичного розряду. Монтаж виконується методом THT (скрізний монтаж). Напруга затвора-джерела становить ±20 В, а заряд затвора — 15 нКл.
Комплектація та монтаж
У комплекті постачається 10 транзисторів. Корпус TO220FP.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 27 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 950 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1200 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | CoolMOS™ P7 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 990 ₴