
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA80R280P7XKSA1, 800В, 17А, TO220-3 (набір 10 шт.)
3 440 ₴
- В наявності
- Код: TM112597
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA80R280P7XKSA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO220-3, що забезпечує зручність для серійного монтажу та прототипування.
- Набір із 10 транзисторів N-MOSFET
- Максимальна напруга дрена-джерела 800 В
- Струм дрена 17 А
- Потужність розсіювання 30 Вт
- Опір у стані провідності 0,28 Ом
- Корпус TO220-3 з монтажем THT
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела 800 В та постійний струм дрена 17 А.
Ефективне розсіювання тепла
Максимальна потужність розсіювання становить 30 Вт. Корпус TO220-3 з монтажем THT (скрізь отвори).
Низький опір у відкритому стані
Опір у стані провідності дорівнює 0,28 Ом.
Заряджання та керування
Заряд затвора становить 36 нКл.
Комплект із 10 транзисторів Infineon IPA80R280P7XKSA1 забезпечує необхідну кількість компонентів для монтажу.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 30 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 17 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 280 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 440 ₴
