Транзистор N-MOSFET Infineon IPA057N08N3GXKSA1, 80В, 60А, TO220FP (набір 10 шт.)
2 430 ₴
- В наявності
- Код: TM112593
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA057N08N3GXKSA1, 80В, 60А, TO220FP (набір 10 шт.)В наявності
2 430 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IPA057N08N3GXKSA1. Це уніполярні польові транзистори з каналом збагачення, розраховані на напругу 80 В та струм 60 А. Вироблені за технологією OptiMOS™ 3 у корпусі TO220FP для монтажу на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-витік: 80 В
- Струм стіка: 60 А
- Опір у відкритому стані: 5,7 мОм
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Комплектація: набір із 10 штук
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до 80 В та витримує струм стіка 60 А. Опір у відкритому стані становить 5,7 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 39 Вт. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO220FP. Тип монтажу — вивідний (THT), що підходить для пайки на друковані плати з отворами.
Технологія OptiMOS™ 3
Вироблено за технологією OptiMOS™ 3.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 39 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 80 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 60 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 5.7 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 430 ₴