Транзистор N-MOSFET Infineon IPA057N06N3GXKSA1, 60V, 60A, TO220FP (набір 10 шт.)

Набір із 10 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель IPA057N06N3GXKSA1. Це напівпровідникові прилади з каналом збагачення, призначені для комутації струму до 60 А та напруги до 60 В у корпусах TO220FP.

• Струм стоку до 60 А для потужних силових ланцюгів
• Напруга стік-витік 60 В для широкого спектру застосувань
• Розсіювана потужність 38 Вт забезпечує стабільну роботу
• Корпус TO220FP для зручного кріплення
• Технологія OptiMOS™ 3
• Набір із 10 транзисторів

Висока струмова навантаженість

Транзистори забезпечують постійний струм стоку до 60 А, що дозволяє використовувати їх у силових ланцюгах із високим споживанням.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 38 Вт. Це значення визначає тепловий режим роботи компонента та необхідність використання радіаторів або охолоджувачів у схемах із тривалим навантаженням, забезпечуючи стабільність параметрів під час роботи.

Зручний монтаж у корпусі TO220FP

Компоненти виконані в корпусі TO220FP із технологією монтажу THT (скрізь отвори). Монтаж THT гарантує механічну міцність з'єднання на друкованій платі.

Технологія OptiMOS™ 3

Компоненти виготовлені за технологією OptiMOS™ 3 від Infineon.

Комплектація

У комплекті поставляється 10 транзисторів IPA057N06N3GXKSA1.