Транзистор N-MOSFET Infineon IMW65R072M1HXKSA1, SiC, 650В, 18А, TO247 (2 шт.)

Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IMW65R072M1HXKSA1, виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію). У комплекті поставляється 2 одиниці компонента в корпусі TO247 для монтажу на плату (THT).

• Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
• Матеріал: SiC (карбід кремнію), технологія CoolSiC™
• Напруга стік-витік: 650 В
• Струм стіка: 18 А (імпульсний до 69 А)
• Опір у відкритому стані: 94 мОм
• Корпус: TO247, монтаж THT
• Комплектація: 2 шт.

Висока напруга та струм

Компонент розрахований на робочу напругу стік-витік 650 В та постійний струм стіка 18 А. Імпульсний струм може досягати 69 А,

Технологія SiC та ефективність

Використання карбіду кремнію (SiC) та технології CoolSiC™ забезпечує низький опір у відкритому стані — 94 мОм. Максимальна розсіювана потужність становить 96 Вт,

Зручний монтаж

Транзистор має корпус TO247, Тип монтажу THT (through-hole technology) означає, що виводи вставляються в отвори на друкованій платі та припаюються з іншого боку.