Транзистор IGBT Infineon IKW50N60DTPXKSA1, 600 В, 61 А, TO247-3 (набір 10 шт.)

IGBT-транзистор Infineon IKW50N60DTPXKSA1 у корпусі TO247-3 призначений для потужних силових схем. Комплект із 10 одиниць забезпечує стабільну роботу при напрузі 600 В та струмі 61 А, що робить його надійним рішенням для промислової електроніки.

• Напруга колектор-емітер 600 В для високовольтних застосувань
• Струм колектора 61 А (постійний) та 150 А (імпульсний)
• Корпус TO247-3 з монтажем THT для зручної пайки
• Технологія TRENCHSTOP™ для швидкої комутації (50/233 нс)
• Інтегрований антипаралельний діод у складі компонента
• Комплект із 10 транзисторів для серійного монтажу

Висока потужність та надійність

Транзистор розрахований на постійний струм колектора 61 А та імпульсний струм до 150 А, що дозволяє використовувати його в інверторах та джерелах живлення з високим навантаженням. Максимальна розсіювана потужність становить 159,6 Вт, а напруга колектор-емітер — 600 В. Ці параметри гарантують стабільну роботу пристрою в складних умовах експлуатації.

Швидка комутація

Завдяки технології TRENCHSTOP™ пристрій демонструє швидкі перехідні процеси: час увімкнення всього 50 нс, а вимкнення — 233 нс. Така швидкість мінімізує втрати енергії при перемиканні та підвищує загальний ККД системи. Це особливо важливо для високочастотних перетворювачів, де швидкість реакції впливає на ефективність.

Зручний монтаж та комплектація

Компонент виконаний у стандартному корпусі TO247-3 з виводами для монтажу на плату (THT), що спрощує пайку та інтеграцію в існуючі схеми. Наявність інтегрованого антипаралельного діода розширює функціональні можливості транзистора, дозволяючи реалізувати складніші топології без додаткових елементів. У комплекті поставляється 10 транзисторів, що зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання.

Керування та заряд затвора

Напруга керування затвором становить ±20 В, що визначає вимоги до драйвера та схеми керування. Заряд затвора 249 нКл впливає на швидкість перемикання та енергоспоживання драйвера. Ці параметри важливі для правильного вибору керуючої електроніки та забезпечення стабільної роботи транзистора в складних режимах.