Транзистор IGBT Infineon IGW50N65F5FKSA1, 650В, 80А, TO247-3, комплект 5 шт.
2 090 ₴
- В наявності
- Код: TM112561
Транзистор IGBT Infineon IGW50N65F5FKSA1, 650В, 80А, TO247-3, комплект 5 шт.В наявності
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IGBT-транзистор Infineon IGW50N65F5FKSA1 у корпусі TO247-3 із номінальною напругою 650 В та струмом колектора 80 А. Комплект складається з 5 одиниць, виготовлених за технологією TRENCHSTOP™ 5.
- Тип транзистора: IGBT
- Напруга колектор-емітер: 650 В
- Струм колектора: 80 А
- Розсіювана потужність: 270 Вт
- Корпус: TO247-3
- Монтаж: THT
- Технологія: TRENCHSTOP™ 5
- Кількість у комплекті: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 650 В та постійний струм колектора 80 А. Максимальна розсіювана потужність становить 270 Вт. Дозволене напруга на затворі (брамка) — ±20 В.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у стандартному корпусі TO247-3. Монтаж здійснюється методом виводів у отвори (THT).
Технологія TRENCHSTOP™ 5
Виріб виготовлено за технологією TRENCHSTOP™ 5 від виробника Infineon Technologies.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 270 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 80 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Технологія | TRENCHSTOP™ 5 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 090 ₴