Транзистор IGBT Infineon IGB30N60H3ATMA1, 600В, 30А, D2PAK — набір 10 шт.
2 510 ₴
- В наявності
- Код: TM112558
Транзистор IGBT Infineon IGB30N60H3ATMA1, 600В, 30А, D2PAK — набір 10 шт.В наявності
2 510 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IGBT-транзистор Infineon Technologies IGB30N60H3ATMA1 у корпусі D2PAK для SMD-монтажу. Пристрій розрахований на робочу напругу 600 В та струм колектора 30 А.
- Тип транзистора: IGBT
- Напруга колектор-емітер: 600 В
- Струм колектора: 30 А
- Розсіювана потужність: 187 Вт
- Корпус: D2PAK (SMD монтаж)
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою колектор-емітер 600 В та витримує струм колектора 30 А. Максимальна розсіювана потужність становить 187 Вт. Напруга між затвором та емітером обмежена значенням ±20 В.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі D2PAK, що призначений для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
У комплекті постачається 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 187 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 30 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 510 ₴