Діод Schottky Infineon IDH10G65C6, SiC, 650 В, 10 А, PG-TO220-2 (IDH10G65C6XKSA1) — набір 5 шт.
2 410 ₴
- В наявності
- Код: TM112551
Діод Schottky Infineon IDH10G65C6, SiC, 650 В, 10 А, PG-TO220-2 (IDH10G65C6XKSA1) — набір 5 шт.В наявності
2 410 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Діод Шотткі Infineon IDH10G65C6 — це напівпровідниковий компонент технології CoolSiC™ 5G у корпусі PG-TO220-2 для монтажу на плату (THT). Прилад розрахований на постійний струм 10 А та зворотну напругу до 650 В, призначений для роботи в електронних схемах.
- Структура: одиночний діод Шотткі
- Технологія: CoolSiC™ 5G, SiC
- Корпус: PG-TO220-2, монтаж THT
- Максимальна зворотна напруга: 650 В
- Постійний струм провідження: 10 А
- Імпульсний струм: 44 А
- Розсіювана потужність: 72 Вт
Технологія SiC
Технологія CoolSiC™ 5G та матеріал SiC визначають характеристики діода. Максимальна напруга провідження становить 1,25 В.
Електричні параметри
Діод витримує імпульсний струм до 44 А та має розсіювану потужність 72 Вт. Діод призначений для випрямлення струму в електронних пристроях.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі PG-TO220-2 з виводами для встановлення в отвори (THT). Товщина радіатора для кріплення становить 1,17–1,37 мм,.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 72 Вт |
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм | 44 А |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 650 В |
| Максимальна пряма напруга | 1.25 В |
| Максимальний зворотний струм | 77 мкА |
| Максимальний прямий струм | 10 А |
| Стан | Новий |
| Тип діода | Діод Шотткі |
| Додаткові характеристики | |
| Тип монтажу | Вставний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO220-2 |
| Технологія | CoolSiC™ 5G, SiC |
| Товщина радіатора | 1.17-1.37 мм |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 410 ₴