Діод Шотткі SiC Infineon IDH02G120C5XKSA1, 1,2 кВ, 2 А, PG-TO220-2 (набір 10 шт.)

Діод Шотткі на основі карбіду кремнію (SiC) від Infineon Technologies, модель IDH02G120C5XKSA1. Це напівпровідниковий прилад для випрямлення струму. Товар поставляється комплектом із 10 штук.

• Максимальна зворотна напруга: 1,2 кВ
• Струм провідності: 2 А
• Імпульсний струм: до 37 А
• Напруга провідності: макс. 1,4 В
• Ток витоку: 1,2 мкА
• Корпус: PG-TO220-2 (THT)
• Комплектація: 10 шт.

Висока напруга та струм

Діод розрахований на максимальну зворотну напругу 1,2 кВ та постійний струм провідності 2 А. Прилад витримує імпульсний струм до 37 А. Максимальна розсіювана потужність становить 75 Вт. Ці параметри визначають робочий діапазон компонента в електричних ланцюгах.

Ефективність та технологія SiC

Використання технології CoolSiC™ 5G та матеріалу SiC визначає ключові електричні характеристики діода. Максимальна напруга провідності дорівнює 1,4 В. Ток витоку становить 1,2 мкА. Ці значення зафіксовані в технічній документації виробника.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі PG-TO220-2 з виводами для встановлення на друковану плату (THT). Структура напівпровідника — одиночний діод.