Транзистор N-MOSFET Infineon IAUT300N08S5N012, 80В, 300А, PG-HSOF-8 (5 шт.) (IAUT300N08S5N012ATMA2)

Транзистор N-MOSFET Infineon IAUT300N08S5N012 — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі PG-HSOF-8. Комплект складається з 5 одиниць, призначених для монтажу технологією SMD.

• Напруга дрена-джерела: 80 В
• Струм дрена: 300 А
• Потужність розсіювання: 375 Вт
• Опір у стані провідності: 1,2 мОм
• Корпус: PG-HSOF-8, монтаж SMD
• Технологія: OptiMOS™ 5
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Електричні параметри

Транзистор має напругу дрена-джерела 80 В та максимальний струм дрена 300 А. Потужність розсіювання становить 375 Вт, що визначає тепловий режим роботи. Опір у стані провідності дорівнює 1,2 мОм, що мінімізує втрати енергії при комутації.

Технологія та керування

Прилад виготовлений за технологією OptiMOS™ 5, що забезпечує оптимізовані характеристики перемикання. Напруга затвор-джерело становить ±20 В, а заряд затвора — 178 нКл. Канал транзистора є збагачуваним (enhancement mode), що відповідає стандартному режиму роботи N-MOSFET.

Комплектація та монтаж

У комплекті постачається 5 транзисторів. Монтаж здійснюється методом поверхневого монтажу (SMD) у корпусі PG-HSOF-8, що забезпечує компактне розміщення на платі.