Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR GT110N06S, 60V, 14A, SOP8 (GT110N06S-GFS) — набір 30 шт.
2 520 ₴
- В наявності
- Код: TM112380
Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR GT110N06S, 60V, 14A, SOP8 (GT110N06S-GFS) — набір 30 шт.В наявності
2 520 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR GT110N06S — це напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 60 В та струм 14 А. Виготовлений у корпусі SOP8 для поверхневого монтажу (SMD) із технологією SGT.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-виток: 60 В
- Струм стоку: 14 А
- Потужність розсіювання: 3 Вт
- Корпус: SOP8, монтаж SMD
- Технологія виготовлення: SGT
- Заряд затвора: 24 нКл
- Комплектація: набір із 30 штук
Електричні характеристики
Прилад має максимальну напругу між витоком та стоком 60 В і витримує струм стоку 14 А. Потужність розсіювання становить 3 Вт, а напруга на затворі обмежена ±20 В. Заряд затвора становить 24 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SOP8 із монтажем SMD. Транзистор виготовлений за технологією SGT. Поляризація транзистора — уніполярна, тип каналу — збагачуваний.
Комплектація та ідентифікація
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 14 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOP8 |
| Виробник | GOFORD SEMICONDUCTOR |
| Технологія | SGT |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 520 ₴