Транзистор IGBT модуль STARPOWER GD15PJY120L2S, 1200 В, 15 А

IGBT модуль STARPOWER GD15PJY120L2S — це напівпровідниковий компонент для потужних електронних систем. Він поєднує в собі діод і транзистор, забезпечуючи ефективне перетворення енергії у промислових пристроях.

• Максимальна зворотна напруга 1200 В
• Номінальний струм колектора 15 А
• Імпульсний струм до 30 А
• Технологія Advanced Trench FS IGBT
• Корпус L2.2 для монтажу Press-in PCB

Висока напруга та струм

Модуль розрахований на максимальну зворотну напругу 1200 В та номінальний струм колектора 15 А. Це дозволяє використовувати його в пристроях підвищення напруги та силових електронних схемах. Імпульсний струм може досягати 30 А, що важливо для пускових режимів обладнання.

Топологія boost chopper

Схема модуля включає boost chopper, трифазний діодний міст та трифазний IGBT міст з виходом OE. Така конфігурація оптимізована для підвищення напруги та керування потужністю в складних електронних схемах. Наявність термістора NTC забезпечує додатковий контроль температури.

Технологія Advanced Trench FS IGBT

Використання технології Advanced Trench FS IGBT забезпечує оптимізовані характеристики перемикання. Модуль працює з напругою затвор-емітер ±20 В.

Зручний монтаж

Компонент має корпус L2.2 та призначений для механічного прикручування та електричного монтажу Press-in PCB. Це спрощує інтеграцію модуля в друковані плати. Конструкція забезпечує надійний контакт та стабільність роботи.