Діодний міст ONSEMI GBU6M, 6 А, 1000 В, корпус GBU (GBU6M-ONS) — набір 30 шт.
2 410 ₴
- В наявності
- Код: TM112347
Діодний міст ONSEMI GBU6M, 6 А, 1000 В, корпус GBU (GBU6M-ONS) — набір 30 шт.В наявності
2 410 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Діодний міст ONSEMI GBU6M — це напівпровідниковий компонент у корпусі GBU з максимальним прямим струмом 6 А та зворотною напругою 1000 В. Це однофазний діодний міст.
- Максимальний прямий струм 6 А
- Зворотна напруга 1000 В
- Імпульсний струм 175 А
- Корпус GBU з пласкими виводами
- Вставний тип монтажу
- Набір із 30 штук
Технічні параметри
Максимальна постійна зворотна напруга становить 1000 В. Максимальний прямий струм становить 6 А, а імпульсний струм у режимі перевантаження досягає 175 А. Максимальна пряма напруга дорівнює 1 В.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у плоскому корпусі GBU з пласкими виводами для вставного монтажу. Виробник застосував технологію glass passivated для захисту напівпровідникових елементів.
Комплектація
Товар постачається набором із 30 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм | 175 А |
| Максимальна постійна зворотна напруга | 1000 В |
| Максимальна пряма напруга | 1 В |
| Максимальний прямий струм | 6 А |
| Стан | Новий |
| Додаткові характеристики | |
| Тип монтажу | Вставний |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | GBU |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 410 ₴