Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G2312, SOT23, 20V, 5A (G2312-GFS) — набір 30 шт.
2 030 ₴
- В наявності
- Код: TM112269
Транзистор N-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G2312, SOT23, 20V, 5A (G2312-GFS) — набір 30 шт.В наявності
2 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G2312 — це N-канальний MOSFET типу Trench у корпусі SOT23. Монтаж на поверхню плати (SMD). Максимальний постійний струм стіка становить 5 А.
- Тип: N-MOSFET, технологія Trench
- Напруга стік-виток: 20 В
- Струм стіка: 5 А
- Потужність розсіювання: 1,25 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Заряд затвора: 10,5 нКл
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SOT23. Тип монтажу — SMD (поверхневий). Це визначає габарити та спосіб кріплення на друкованій платі.
Тип транзистора
Транзистор виготовлений за технологією Trench. Тип транзистора — N-MOSFET. Поляризація — уніполярна. Канал збагачуваний. Технологія виготовлення — Trench.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 1.25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Виробник | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 030 ₴