Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G02P06, SOT23, -60В, -1,6А (комплект 30 шт.)

Комплект із 30 транзисторів GOFORD SEMICONDUCTOR G02P06 типу P-MOSFET у корпусі SOT23. Призначений для монтажу на поверхню (SMD).

• Тип транзистора: P-MOSFET з каналом збагачення
• Корпус: SOT23 для поверхневого монтажу (SMD)
• Максимальна напруга стік-витік: -60 В
• Струм стоку: -1,6 А
• Потужність розсіювання: 1,5 Вт
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні характеристики

Транзистор має максимальну напругу стік-витік -60 В та струм стоку -1,6 А. Потужність розсіювання становить 1,5 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Заряд затвора дорівнює 11,3 нКл, а допустима напруга затвор-витік — ±20 В.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у стандартному корпусі SOT23, що забезпечує компактність вузла. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж), що є стандартним для сучасних друкованих плат. У комплекті постачається 30 одиниць транзисторів.