Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD18N20V2TM, 200V, 9.75A, DPAK (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD18N20V2TM — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах із навантаженням до 200 В. Модель виконана в корпусі DPAK із технологією QFET®, що забезпечує ефективне розсіювання тепла та стабільну роботу при струмі 9,75 А.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 200 В
• Струм дрена: 9,75 А
• Потужність розсіювання: 83 Вт
• Опір у стані провідності: 0,14 Ом
• Корпус: DPAK, монтаж SMD
• Технологія: QFET®
• Комплектація: набір із 20 штук

Ефективне розсіювання тепла

Завдяки технології QFET® та корпусу DPAK транзистор має потужність розсіювання 83 Вт. Це дозволяє компоненту витримувати значні навантаження без перегріву, що критично важливо для надійності силових ланцюгів та інверторів.

Стабільна робота під навантаженням

Транзистор працює з напругою дрена-джерела 200 В та витримує постійний струм дрена 9,75 А. Низький опір у стані провідності 0,14 Ом мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час експлуатації. Максимальна допустима напруга затвор-джерело становить ±30 В.

Зручний монтаж та комплектація

Компонент призначений для поверхневого монтажу (SMD), що спрощує автоматизацію виробництва плат. Товар постачається набором із 20 штук, що зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання.