Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD13N06LTM, 60В, 7А, DPAK (набір 20 шт.)
1 950 ₴
- В наявності
- Код: TM112242
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD13N06LTM, 60В, 7А, DPAK (набір 20 шт.)В наявності
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD13N06LTM — це напівпровідниковий прилад у корпусі DPAK для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 20 однакових компонентів.
- Тип транзистора: N-MOSFET, збагачуваний канал
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Струм стіка: 7 А
- Розсіювана потужність: 28 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до 60 В та витримує струм стіка 7 А. Максимальна розсіювана потужність становить 28 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 0,145 Ом.
Технологія та монтаж
Компонент виготовлений за технологією QFET®. Корпус DPAK призначений для поверхневого монтажу (SMD). Напруга затвор-витік обмежена ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 28 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 145 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | QFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 950 ₴