Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQA8N100C, 1000 В, 5 А, TO3PN (5 шт.)
2 190 ₴
- В наявності
- Код: TM112241
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQA8N100C, 1000 В, 5 А, TO3PN (5 шт.)В наявності
2 190 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQA8N100C — це уніполярний польовий транзистор. Комплект складається з 5 елементів у корпусі TO3PN з монтажем THT.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-витік: 1000 В
- Максимальний струм стіка: 5 А
- Потужність розсіювання: 225 Вт
- Корпус: TO3PN, монтаж THT
- Комплектація: 5 шт.
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу стік-витік до 1000 В та максимальний струм стіка 5 А. Потужність розсіювання становить 225 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO3PN з технологією монтажу THT.
Електричні параметри
Напруга затвор-витік становить ±30 В. Опір у відкритому стані дорівнює 1,45 Ом. Тип каналу — збагачуваний.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 225 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 1000 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1450 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO3PN |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 190 ₴