Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQA140N10, 100В, 99А, TO3PN (3 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQA140N10 — силовий компонент у корпусі TO3PN для монтажу на плату (THT). Комплект складається з 3 транзисторів.

• Струм стоку: 99 А
• Імпульсний струм: 560 А
• Напруга стік-витік: 100 В
• Потужність розсіювання: 375 Вт
• Опір у стані провідності: 10 мОм
• Корпус: TO3PN, монтаж THT
• У комплекті: 3 шт.

Висока струмова навантаженість

Транзистор розрахований на постійний струм стоку 99 А та імпульсний струм до 560 А. Це дозволяє використовувати компонент у схемах із значними навантаженнями.

Потужність розсіювання

Максимальна розсіювана потужність становить 375 Вт. Такий показник вказує на те, що транзистор може працювати в режимах із високим тепловиділенням, за умови належного охолодження.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 10 мОм. Низький опір зменшує втрати потужності та нагрівання компонента під час роботи.

Зручний монтаж та комплектація

Компонент виконаний у корпусі TO3PN із виводами для монтажу на плату (THT). У комплекті постачається 3 транзистори. Напруга затвор-витік становить ±25 В, а заряд затвора — 285 нКл. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення типу N-MOSFET.