Модуль IGBT Infineon FP15R12W1T4_B3, 15А, 1200В, EasyPIM™ 1B

Модуль IGBT Infineon FP15R12W1T4_B3 — це напівпровідниковий компонент у корпусі AG-EASY1B-1, що поєднує трифазний діодний та IGBT-міст із термістором NTC.

• Струм колектора 15 А, імпульсний струм 30 А
• Максимальна напруга 1200 В
• Розсіювана потужність 130 Вт
• Корпус AG-EASY1B-1 (EasyPIM™ 1B)
• Монтаж Press-in PCB та прикручування
• Топологія: трифазний діодний та IGBT-міст, NTC

Висока потужність та струм

Модуль розрахований на постійний струм колектора 15 А та імпульсний струм до 30 А. Максимальна розсіювана потужність становить 130 Вт,. Максимальна зворотна напруга становить 1,2 кВ.

Компактний корпус EasyPIM™ 1B

Технологія EasyPIM™ 1B та корпус AG-EASY1B-1 дозволяють розмістити складну топологію (діодний міст, IGBT-міст, термістор) в одному компактному модулі. Це спрощує монтаж на платі та економить місце на шасі обладнання.

Точне керування та структура

Структура напівпровідника включає діод та транзистор, що реалізує функціональність міст. Напруга між затвором та емітером обмежена ±20 В, що визначає вимоги до керуючих сигналів. Електричне з'єднання виконується за технологією Press-in PCB,. Механічне кріплення модуля здійснюється прикручуванням,.