Транзистор IGBT ONSEMI FGH50T65UPD, 650В, 50А, TO247-3 (набір 3 шт.)
1 970 ₴
- В наявності
- Код: TM112214
Транзистор IGBT ONSEMI FGH50T65UPD, 650В, 50А, TO247-3 (набір 3 шт.)В наявності
1 970 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
IGBT-транзистор ONSEMI FGH50T65UPD у корпусі TO247-3 для монтажних робіт. Комплект складається з 3 одиниць із номінальною напругою 650 В та струмом колектора 50 А.
- Тип транзистора: IGBT
- Напруга колектор-емітер: 650 В
- Струм колектора: 50 А
- Розсіювана потужність: 170 Вт
- Корпус: TO247-3
- Монтаж: THT
- Кількість у комплекті: 3 шт.
Технічні параметри
Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 650 В та постійний струм колектора 50 А. Максимальний імпульсний струм становить 150 А, а розсіювана потужність — 170 Вт. Напруга затвор-емітер обмежена ±20 В, заряд затвора — 230 нКл.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у стандартному корпусі TO247-3 для вивідного монтажу (THT). Таке виконання забезпечує надійне кріплення на платі та ефективний відвід тепла через радіатор.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 170 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 150 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 970 ₴